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仿真反射詳解:DDR3的時鐘信號

電子設計 ? 2021-04-19 11:42 ? 次閱讀

一些經驗公式

在上面給大家展示的這張圖其實是非常有代表意義的:

pIYBAGB8--iAHpFfAAEgbJg-iLQ093.png

這是一個1GHz的信號,上升沿大概在0.1ns左右。大家想到了什么?

是的,DDR3的時鐘信號。

五倍頻諧波合成一個波形,上升沿時間為信號周期的十分之一,符合我們一切對信號完整性的預期。

該信號五倍頻率處的這個諧波稱之為最高次有效諧波,我們前文中說的集總參數與分布參數界限的λ/20,指的就是最高次有效諧波的λ/20。所以一個1GHz的信號(注意這里說的是信號,不是正弦波),通常他的λ/20是60mil。

但是否每個波形的最高次有效諧波都是信號的五倍頻呢?并不一定,大家看下面兩幅圖:

xiangjieer02.png

xiangjieer03.png

這是兩個頻率為500MHz的信號,他們周期相等,幅值也相等,但是上升沿不一樣。很明顯,上升沿較抖的紅色信號直到9倍頻處還有較為明顯的頻率分量,而上升沿較緩的藍色信號在三倍頻以后的頻率分量就非常少了。

什么時候會出現這種狀況呢,不是說好了上升沿時間為信號周期的十分之一嗎?

由于工藝的不斷更新換代,芯片的die電容不斷減小,現在大量的100MHz信號的上升沿達到了0.2ns甚至更少,高速先生不久前就碰到過66MHz的信號反射非常嚴重的。

同樣是因為工藝的原因,按照上升沿時間為信號周期的十分之一計算的話,25Gbps信號的上升時間應為8ps,臣妾做不到啊!所以在802.3bj中,要求的25G信號的上升沿為9.6ps(20%-80%)。而在現在的高速無源鏈路上只關心到信號中心頻率的兩倍頻處,再高的頻率分量由芯片來給你保證了。

為了輔助我們得出最高次有效頻率,我們還有這些經驗公式:0.35/Tr,0.5/Tr??????其中Tr單位使用ns的話,得到的頻率為GHz,兩個公式的區別在于對最高次有效諧波定義的嚴格與否。

等等!各位看官不要走!如果您覺得這樣計算最高次有效諧波的波長再除以二十再跟傳輸線長度來進行對比來判斷是集總參數還是分布參數再去決定是否考慮傳輸線效應太麻煩的話,這里還有個最簡單的:

xiangjieer04.png

就是這個了,如果上升時間小于六倍的傳輸延時,我們需要考慮傳輸線效應,稱之為高速。

最后,讓我們來對比一下兩種方法算出來的分布參數與高速有何不同,拿我們最開始的DDR3的波形舉例:

上升時間Tr為100ps;

高速的臨界條件為傳輸延時為16.6ps;

16.6ps傳輸的長度為100mil;

100mil為3GHz正弦波的λ/20;

3GHz約等于使用0.35/Tr來算最高次諧波3.5GHz;

如果使用0.5/Tr來算最高次諧波的話,他的最高次諧波為5GHz;

回到文章頂部看我們最開始分享的那張圖??????

其實我們用有效頻率的二十分之波長來定義分布/集總參數與用六分之上升時間來定義高速/低速信號是完全一樣的東西啊。

路的反射

文章未動,公式先行:

xiangjieer05.png

inc ──入射 trans ──傳輸 refl── 反射

當信號穿越阻抗不連續的點時,會產生反射電壓與電流,從而使得分界面兩邊的電壓和電流相等(基爾霍夫定律)。
這樣就有如下公式:

fanshegongshi01.jpg

其中,由歐姆定律有:

fanshegongshi02.jpg

將基爾霍夫電流定律的電流用V/Z替代后:

fanshegongshi03.jpg

將V_trans替換后:

fanshegongshi04.jpg

由該公式我們可以得出:
反射系數

fanshegongshi05.jpg

傳輸系數

fanshegongshi06.jpg

在這里給大家自爆一下高速先生小時候學習過程中做過的筆記:

xiangjieer06.png

xiangjieer07.png

對于理工科來說,一些從數學上去理解問題的過程是必不可少,也是最直觀的。

高速先生也和大家一樣,學習反射都是從手算反彈圖開始的。同樣的,小高速先生 在畫出反彈圖之后曾經覺得自己懂反射了。

可是轉念一想,還是發現了很多無法理解的問題:

為什么測試時在通道中間測試到的波形有回溝,而在終端測試到的波形又是好的?

Breakout區域有一次阻抗不連續,但走出該區域之后,走線從細變寬,會增加一次反射,那是不是全程按照breakout區域走線會比較好?源端匹配電阻是不是也增加了一次反射?

xiangjieer08.png

是的,其實這些用一句“傳輸線很短的時候反射掩蓋在上升沿中了”就可以解釋。但是到底是怎么掩蓋在上升沿中的?

我們發現在上方的反彈圖中傳輸延時遠遠大于信號的上升時間,在計算反射時我們用的電壓實際上是信號高電平的電壓,并沒有關注上升沿過程中其他電平的狀態,但實際上的情況并不是這樣,可是如果我們如果把上升沿的狀態加入算式中,那這游戲可就沒法玩了。

編輯:hfy

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HMC1044 可編程諧波低通濾波器,1 - 3 GHz 3 dB帶寬

和特點 可編程帶寬: 1至3 GHz 兼容窄帶和寬帶: 集成VCO的PLL調制器解調器 LO諧波抑制: ~20 dB 改善調制器/解調器邊帶/鏡像抑制 性能: 20 dB(典型值) 單端或差分選項 比目前的分立式固定帶寬解決方案尺寸縮小90% 16引腳3x3 mm SMT封裝 產品詳情 HMC1044LP3E是一款針對所有采用正交調制器和/或解調器應用的可編程帶寬LPF(低通濾波器)。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波,從而確保LO對調制器邊帶抑制或解調器鏡像抑制性能的貢獻非常小或為零。 雖然HMC1044LP3E針對LO濾波應用,但它可用于濾除所有RF諧波,如放大器產生的諧波。 HMC1044LP3E提供16種可編程頻段選擇,針對頻段范圍為1至3 GHz的高低蜂窩頻段進行優化,實現與集成VCO、寬帶正交調制器和解調器的寬帶PLL兼容的真正寬帶器件。 它采用寬帶多標準、多載波設計,可針對各種具體應用現場即時配置。 HMC1044LP3E采用緊湊型3x3 mm QFN無鉛封裝。 應用 濾除LO諧波以降低調制器邊帶抑制和解調器鏡像抑制 放大器諧波濾波 RF濾波 方框圖...
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HMC1044 可編程諧波低通濾波器,1 - 3 GHz 3 dB帶寬

HMC404 GaAs MMIC次諧波IRM混頻器芯片,26 - 33 GHz

和特點 集成LO放大器: +2 dBm輸入 次諧波(x2) LO 鏡像抑制: 22 dB 小尺寸: 1.90 x 1.25 mm 產品詳情 HMC404芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC鏡像抑制混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為2.31mm2。 片內90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能,鏡像抑制大于22 dB。 LO放大器采用單偏置(+4V)雙級設計,僅需+2 dBm的標稱驅動。 應用 26至33 GHz微波無線電 針對點對點無線電應用的上下變頻器 衛星通信系統 方框圖...
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HMC404 GaAs MMIC次諧波IRM混頻器芯片,26 - 33 GHz

HMC798A 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次諧波SMT混頻器

和特點 單正電源:5 V (97 mA) 轉換損耗:10 dB(典型值,24 GHz至30 GHz時),10.5 dB(典型值,30 GHz至34 GHz時)(上變頻器) 輸入IP3:17.5 dBm(典型值,24 GHz至30 GHz時),20 dBm(典型值,30 GHz至34 GHz時)(上變頻器) 2 × LO至RF隔離:36 dB(典型值,30 GHz至34 GHz時) 寬IF帶寬:DC至4 GHz LO驅動電平:4 dBm輸入 次諧波2 × LO 符合RoHS標準的24引腳、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封裝 產品詳情 HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次諧波(×2) MMIC混頻器,采用符合RoHS標準的無鉛LCC封裝。HMC798ALC4可用作頻率范圍為24 GHz至34 GHz的上變頻器或下變頻器。 在24 GHz至30 GHz和30 GHz至34 GHz頻率范圍內,2 × LO至射頻(RF)隔離通常分別為30 dB和36 dB,無需額外濾波。LO放大器采用單偏置(5 V dc)設計,通常需要4 dBm的LO驅動電平。HMC798ALC4無需線焊,可以使用表貼(SMT)制造技術。應用 微波和甚小孔徑終端(VSAT)無線電 測試設備 點對點無線電 衛星通信(SATCOM) 軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指...
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HMC798A 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次諧波SMT混頻器

HMC339 GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,33 - 42 GHz

和特點 集成LO放大器: +2 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2 LO/RF隔離: >37 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm 產品詳情 HMC339芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為1.07mm2。 2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需+2 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025mm (3 mil)、最小長度小于0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 應用 33至42 GHz微波無線電 針對點對點無線電應用的上下變頻器 衛星通信系統 方框圖...
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HMC339 GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,33 - 42 GHz

HMC337 GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,17 - 25 GHz

和特點 集成LO放大器: -5 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2 LO/RF隔離: >25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 產品詳情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為1.28mm2。 2 LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-5 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.076 mm (3 mil)、最小長度小于0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 應用 18和23 GHz微波無線電 針對點對點無線電應用的上下變頻器 衛星通信系統方框圖...
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HMC337 GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,17 - 25 GHz

HMC338LC3B 次諧波混頻器,采用SMT封裝,24 - 34 GHz

和特點 集成LO放大器: -5 dBm輸入 次諧波(x2) LO DC - 3 GHz帶寬IF 符合RoHS標準的3x3 mm SMT封裝 單正電源: +4V (31mA) 產品詳情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 在30 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V到+4V)設計,需-5 dBm的標稱驅動。 RF和LO端口為隔直端口并匹配50 ?,使用方便,同時IF的工作頻率范圍為DC至3 GHz。 HMC338LC3B無需線焊,可以使用表貼制造技術。 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 軍用最終用途 SATCOM方框圖...
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HMC338LC3B 次諧波混頻器,采用SMT封裝,24 - 34 GHz

HMC-MDB218 次諧波I/Q混頻器/IRM芯片,54 - 64 GHz

和特點 寬IF帶寬: DC - 3 GHz RF頻率: 54至64 GHz LO頻率 27至32 GHz 高鏡像抑制: 30 dB 無源;無需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-MDB218次諧波IRM可兼容常規的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短程/高容量無線電 衛星通信 軍用雷達、ECM和EW 傳感器 測試和測量設備 方框圖...
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HMC-MDB218 次諧波I/Q混頻器/IRM芯片,54 - 64 GHz

HMC264-DIE 次諧波混頻器芯片,20 - 32 GHz

和特點 集成LO放大器: -4 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2LO/RF隔離: 40 dB 小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 產品詳情 HMC264芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為1.28mm2。 2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-4 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度<0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 應用 微波點對點無線電 LMDS? SATCOM方框圖...
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HMC264-DIE 次諧波混頻器芯片,20 - 32 GHz

HMC1057 次諧波I/Q混頻器,71 - 86 GHz

和特點 無源: 無需直流偏置 高輸入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔離: 30 dB 高2LO/RF隔離: 50 dB 寬IF帶寬: DC - 12 GHz 上變頻和下變頻應用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 產品詳情 HMC1057是一款次諧波MMIC混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs Shottky二極管技術制造。 針對下變頻應用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短途/高容量無線電 測試設備和傳感器 軍用最終用途 E波段通信系統 汽車雷達 方框圖...
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HMC1057 次諧波I/Q混頻器,71 - 86 GHz

HMC264LC3B 次諧波混頻器,采用SMT封裝,21 - 31 GHz

和特點 集成LO放大器:-4至+4 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2LO/RF隔離: 30 dB DC - 6 GHz帶寬IF 符合RoHS標準的3x3 mm SMT封裝 產品詳情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器,采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 在30 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-4至+4 dBm的驅動。 RF和LO端口為隔直端口并匹配50 ?,使用方便,同時IF的工作頻率范圍為DC至6 GHz。 HMC264LC3B無需線焊,可以使用表貼制造技術。 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 軍用最終用途 方框圖...
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HMC264LC3B 次諧波混頻器,采用SMT封裝,21 - 31 GHz

HMC1058 71 - 86 GHz次諧波混頻器

和特點 無源: 無需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔離: 28 dB 高2LO/RF隔離: 43 dB 寬IF帶寬: DC至12 GHz 上變頻和下變頻應用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 產品詳情 HMC1058是一款次諧波MMIC混頻器。 它可用作上變頻器或下變頻器,IF端口頻率范圍為DC至12 GHz,RF端口頻率范圍為71 GHz至86 GHz。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs Shottky二極管技術制造。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 E波段通信系統 測試設備和傳感器 軍用最終用途 汽車雷達 方框圖...
發表于 02-22 15:19 ? 107次 閱讀
HMC1058 71 - 86 GHz次諧波混頻器

HMC264LM3 次諧波混頻器,采用SMT封裝,20 - 30 GHz

和特點 集成LO放大器: -4 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2LO/RF隔離: 35 dB LM3 SMT封裝產品詳情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-4 dBm的驅動。 所有數據均通過安裝在50 ?測試夾具中的非密封型、環氧樹脂密封LM3封裝器件獲取。 采用HMC264LM3即無需線焊,從而為客戶提供一致的接口。 應用 20和30 GHz微波無線電 上下變頻器 點對點無線電 LMDS和SATCOM 方框圖...
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HMC264LM3 次諧波混頻器,采用SMT封裝,20 - 30 GHz

HMC338-DIE GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,26 - 33 GHz

和特點 集成LO放大器: -5 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2 LO/RF隔離: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 產品詳情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC通用混頻器,可在26至33 GHz的頻率范圍中用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為1.28mm2。 2 LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-5 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.076 mm (3 mil)、最小長度小于0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 應用 通用應用 26和33 GHz微波無線電 針對點對點無線電應用的上下變頻器 衛星通信系統 方框圖...
發表于 02-22 15:19 ? 159次 閱讀
HMC338-DIE GaAs MMIC次諧波混頻器芯片,26 - 33 GHz

HMC265-DIE 次諧波混頻器芯片,20 - 32 GHz

和特點 集成LO放大器: -4 dBm輸入 次諧波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 產品詳情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次諧波(x2) MMIC下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術,芯片整體面積為1.74 mm2。 2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-4 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度<0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 此下變頻器IC對基于混合型二極管的下變頻器MMIC組件是更小、更可靠的極佳替代品。 應用 微波點對點無線電 LMDS? SATCOM方框圖...
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HMC265-DIE 次諧波混頻器芯片,20 - 32 GHz

HMC1093 GaAs MMIC次諧波混頻器,37 - 46.5 GHz

和特點 次諧波 (x4) LO 低LO功率: -1 dBm 高4LO/RF隔離: 20 dB 寬IF帶寬: DC至7.5 GHz 下變頻應用 裸片尺寸: 1.45 X 3.85 X 0.1 mm 產品詳情 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次諧波 (x4) MMIC混頻器。 HMC1093芯片非常適合用作下變頻器,RF端口為37至46.5 GHz,IF端口范圍為DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技術,提供20 dB的4LO至RF出色隔離性能,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V)兩級設計,所需LO功率僅為-1 dBm。 RF和LO端口為隔直端口并匹配至50 Ohms,使用方便。 此處顯示的所有數據均采用50 Ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025mm (1 mil)、最小長度小于0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 應用 38 GHz微波無線電 42 GHz微波無線電 軍用最終用途方框圖...
發表于 02-22 15:18 ? 133次 閱讀
HMC1093 GaAs MMIC次諧波混頻器,37 - 46.5 GHz

ADE7880 集成諧波監控的多相多功能電能計量IC

和特點 高精度;支持IEC 62053-21、IEC 62053-22、IEC 62053-23、EN 50470-1、EN 50470-3、ANSI C12.20和IEEE1459標準 支持IEC 61000-4-7 I類和II類精度規格 兼容三相三線或三相四線(三角形或星形)及其它三相配置 測量所有相位上2.8 KHz通帶范圍內所有諧波的rms/有功/無功/視在功率、功率因數、THD+N和諧波失真 測量零線電流上2.8 KHz通帶范圍內所有諧波的有效值和諧波失真 TA = 25°C時,在2000:1的動態范圍內諧波電流和電壓有效值、諧波有功和無功功率的誤差小于1% 測量各相及整個系統的總(基波和諧波)有功/視在功率和基波有功/無功功率 TA = 25°C時,在1000:1的動態范圍內有功和基波無功功率誤差小于0.1% TA = 25°C時,在5000:1的動態范圍內有功和基波無功功率誤差小于0.2% 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADE7880是一款高精度、三相電能計量IC,采用串行接口,并提供三路靈活的脈沖輸出。該器件內置多個二階Σ-Δ型模數轉換器(ADC)、數字積分器、基準電壓源電路及所有必需的信號處理電路,實現總(基波和諧波)有功/視在功率測量和有效值計算,以及基波有功/無功功率測量。此外,ADE7880可...
發表于 02-22 13:03 ? 634次 閱讀
ADE7880 集成諧波監控的多相多功能電能計量IC

HMC265LM3 次諧波混頻器,采用SMT封裝,20 - 31 GHz

和特點 集成LO放大器: -4 dBm輸入 次諧波(x2) LO 高2LO/RF隔離: >28 dB LM3 SMT封裝 產品詳情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器下變頻器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時,2LO至RF和IF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級設計,僅需-4 dBm的驅動。 所有數據均通過安裝在50 ?測試夾具中的非密封型、環氧樹脂密封LM3封裝器件獲取。 采用HMC265LM3即無需線焊,從而為客戶提供一致的接口。 應用 20和31 GHz微波無線電 點對點無線電下變頻器 LMDS 和SATCOM方框圖...
發表于 02-22 12:17 ? 91次 閱讀
HMC265LM3 次諧波混頻器,采用SMT封裝,20 - 31 GHz

HMC892A 3.45 GHz 至 6.25 GHz 可調諧帶通濾波器

和特點 幅度穩定時間:200 ns出色的寬帶抑制:≥30 dB機械調諧設計的單芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝 產品詳情 HMC892ALP5E 是一款可調諧的帶通濾波器,具有用戶可選的通帶頻率3 dB 濾波器帶寬約為 8.7%。20 dB 濾波器帶寬約為 23.8%。通過施加 0 V 至 14 V 的模擬調諧電壓,可以使中心頻率在 3.45 GHz 至 6.25 GHz 之間變化。這款可調諧濾波器可用作外形較大的開關濾波器組和腔調諧濾波器的較小替代方案。由于采用單片設計,HMC892ALP5E 具有出色的顫噪效應,可在高級通信應用中提供動態可調的解決方案。應用 測試與測量設備 軍用雷達和電子戰 (EW)/電子對抗 (ECM) 衛星通信 (SATCOM) 和航空航天 工業設備和醫療器械 方框圖...
發表于 02-15 18:38 ? 190次 閱讀
HMC892A 3.45 GHz 至 6.25 GHz 可調諧帶通濾波器

HMC890A 1.0 GHz 至 1.9 GHz 可調諧帶通濾波器

和特點 幅度穩定時間:200 ns 出色的寬帶抑制:≥30 dB 機械調諧設計的單芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝 產品詳情 HMC890ALP5E 是一款單片微波集成電路 (MMIC) 帶通濾波器,具有用戶可選的通帶頻率3 dB 濾波器帶寬約為 10%。≥20 dB 濾波器帶寬約為 30%。通過施加 0 V 至 14 V 的模擬調諧電壓,可以使中心頻率在 1.0 GHz 至 1.9 GHz 之間變化。這款可調諧濾波器可用作外形較大的開關濾波器組和腔調諧濾波器的小得多的替代方案。由于采用單片設計,HMC890ALP5E 具有出色的顫噪效應,可在高級通信應用中提供動態可調的解決方案。應用 測試與測量設備 軍用雷達和電子戰/電子對抗 衛星通信和航空航天 工業設備和醫療器械 方框圖...
發表于 02-15 18:38 ? 183次 閱讀
HMC890A 1.0 GHz 至 1.9 GHz 可調諧帶通濾波器
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